金錫熔封工藝
金錫熔封主要特點(diǎn)
金錫熔封屬于合金燒結(jié)密封工藝的一種。該工藝使用金錫(AuSn)焊料環(huán)作為釬料,通過將溫度提升至300℃以上,使焊料熔化并經(jīng)歷共晶過程(共晶溫度為280℃),將預(yù)先鍍有鎳層和鍍金層的陶瓷管殼與金屬蓋板燒結(jié)在一起,從而形成密閉的管殼腔體。金錫熔封也常被稱作低溫?zé)Y(jié)、金錫燒結(jié)密封等。
金錫焊料在焊接強(qiáng)度、耐腐蝕性和抗氧化等方面表現(xiàn)卓越,而且在燒結(jié)過程中無需添加助焊劑,有效避免了助焊劑對(duì)集成電路芯片造成污染和腐蝕。因此,金錫焊料成為電子封裝領(lǐng)域應(yīng)用最為廣泛的焊料之一。就封裝質(zhì)量和密封可靠性而言,金錫熔封是極為重要且常用的高可靠集成電路密封方式,其焊接成品率可達(dá)99%以上。
在常見的金系焊料當(dāng)中,如金錫(80%的Au,20%的Sn,熔點(diǎn)280℃)、金鍺(88%的Au,12%的Ge,熔點(diǎn)356℃)、金硅(97%的Au,3%的Si,熔點(diǎn)363℃)等,Au80Sn20合金焊料的熔點(diǎn)相對(duì)較低,具體情況如圖1所示。密封作為封裝的最后一道工序,工藝溫度越低,對(duì)芯片質(zhì)量以及之前封裝工序可靠性的影響就越小,所以Au80Sn20作為燒結(jié)密封焊料具有顯著優(yōu)勢(shì)。在Au80Sn20系統(tǒng)中,共晶體富金一側(cè)的液相曲線斜率十分陡峭,金含量的增加會(huì)使焊料的熔化溫度迅速上升至320 - 360℃,因此在反應(yīng)過程中,必須避免過多額外金元素干擾共晶反應(yīng)的順利完成。
圖1 常見金系合金的熔點(diǎn)
焊料的潤(rùn)濕性是影響焊接質(zhì)量的關(guān)鍵因素,通常通過測(cè)定其潤(rùn)濕角、潤(rùn)濕速率或鋪展性來評(píng)估可焊性。接觸角越小,鋪展性越高,表明焊料的流散性能越好,焊接質(zhì)量也就更有保障。AuSn合金焊料具有適宜的潤(rùn)濕性和接觸角,其鋪展百分?jǐn)?shù)在70% - 80%之間,封裝焊接后不易出現(xiàn)“爬蓋”現(xiàn)象,焊接強(qiáng)度高,氣密性漏氣速率可小于1×10?3Pa·cm3/s 。
在金錫熔封工藝中,涉及的主要設(shè)備、工具、材料和氣氛包括金錫焊料環(huán)、管殼、蓋板、密封夾具、燒結(jié)爐、還原氣氛和保護(hù)氣氛等。因此,對(duì)金錫熔封的控制主要涵蓋以下幾個(gè)方面:原材料的質(zhì)量控制(包括原材料的采購、檢驗(yàn)與保存等環(huán)節(jié)),密封工藝過程控制(涉及操作規(guī)范性、設(shè)備穩(wěn)定性、程序合法性以及環(huán)境穩(wěn)定性等),密封設(shè)計(jì)及控制(如壓力施加方式、夾具的選用和更新等)。
金錫熔封工藝在眾多高可靠陶瓷 - 金屬氣密封裝結(jié)構(gòu)的集成電路和微波器件中得到廣泛應(yīng)用,該工藝具有以下優(yōu)勢(shì):
1.蓋板適應(yīng)性強(qiáng)且機(jī)械性能優(yōu)勢(shì):對(duì)蓋板厚度沒有特殊要求,封焊后機(jī)械強(qiáng)度高,蓋板耐壓能力強(qiáng)。
2.封裝材料兼容性好:對(duì)封裝材料的種類沒有限制,可伐合金、銅、鋁等材料均能實(shí)現(xiàn)氣密封裝。
3.封裝應(yīng)力?。?/strong>只要選擇與殼體材料一致的蓋板材料,器件就能承受標(biāo)準(zhǔn)GJB548B - 2005中規(guī)定的溫度循環(huán)、機(jī)械沖擊等嚴(yán)苛使用條件。
4.耐腐蝕性能佳:無須經(jīng)過任何特殊處理,就能經(jīng)受鹽霧試驗(yàn),使器件可在腐蝕性氣體(或液體)環(huán)境下長(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)行。
熔封質(zhì)量影響因素
1.溫度
AuSn20合金焊料基于其共晶成分特性,只需很小的過熱度,就能促使合金熔化。熔化后的合金具備充足的流動(dòng)性和潤(rùn)濕性,可順利完成與管殼、蓋板鍍層的浸潤(rùn)過程,并且合金的凝固過程同樣迅速,這使得單次密封焊接周期大幅縮短。在焊接封裝作業(yè)時(shí),AuSn20的密封溫度通常設(shè)定在330℃左右,相較于焊料熔點(diǎn)高出50℃。有研究人員給出了鏈?zhǔn)綘t和真空爐燒結(jié)密封工藝的溫度曲線,具體如圖2所示。
圖2 AuSn20焊料鏈?zhǔn)綘t和真空爐燒結(jié)密封工藝溫度曲線
由圖2可知,鏈?zhǔn)綘t密封的典型加熱周期包含快速預(yù)熱期(3 - 5分鐘),以及在液相溫度以上維持的最短時(shí)間(3 - 5分鐘);真空爐的溫度曲線則涵蓋預(yù)熱、升溫、恒溫、峰值溫度、降溫等多個(gè)階段。在實(shí)際的密封操作中,需依據(jù)電路的具體特性,靈活調(diào)節(jié)燒結(jié)峰值溫度和燒結(jié)時(shí)長(zhǎng)。
2.保護(hù)氣體
焊接過程中,使用保護(hù)氣體對(duì)焊接表面加以保護(hù),能夠有效隔絕空氣和氧氣,防止焊接表面發(fā)生氧化,從而避免對(duì)焊接質(zhì)量產(chǎn)生影響。在此情形下,保護(hù)氣氛的選擇至關(guān)重要。一般會(huì)采用真空環(huán)境,或氬氣,又或是氮?dú)夂蜌錃獾幕旌蠚怏w作為保護(hù)氣體。當(dāng)使用鏈?zhǔn)椒庋b爐時(shí),可采用氫氣和氮?dú)獍?0:10比例混合的氣體,也可以采用高純度氮?dú)狻?/span>
3.鍍層
在Au - Sn系統(tǒng)里,共晶體富金一側(cè)的液相曲線斜率極為陡峭。在高于共晶組成的區(qū)域,金含量?jī)H增加3% - 5%,就能讓液相溫度從280℃急劇提升至450℃以上,這極有可能引發(fā)諸多氣密性失效問題。在密封過程中,管殼、蓋板上的鍍金層會(huì)迅速熔解到金錫焊料之中,導(dǎo)致焊料中的金含量出現(xiàn)微量增加。因此,在確保金鍍層具備足夠浸潤(rùn)性和防護(hù)性的前提下,其厚度應(yīng)盡可能減薄。
然而,如果鍍鎳層不夠致密,或者厚度過薄,基材中的某些微量元素(例如Fe)就會(huì)顯著加速合金的氧化進(jìn)程。析出的Fe會(huì)形成FeSn初晶,阻礙AuSn合金的流動(dòng),進(jìn)而對(duì)氣密性造成不利影響 。
4. 焊料狀態(tài)
依據(jù)AuSn合金中錫的氧化原理,空氣中的氧氣很容易與AuSn合金里的錫發(fā)生反應(yīng),生成金屬氧化物,進(jìn)而在焊料環(huán)表面形成錫的氧化膜。隨著環(huán)境溫度的上升,合金分子的熱運(yùn)動(dòng)愈發(fā)劇烈,分子間的碰撞概率大幅增加,這無疑加快了錫的氧化速度。所以,在金錫焊料的儲(chǔ)存與使用過程中,務(wù)必做好抗氧化防護(hù)措施。
在電路密封環(huán)節(jié),焊料環(huán)表面的氧化物有一部分會(huì)溶解于AuSn合金熔液中,這會(huì)妨礙液態(tài)焊料對(duì)固體母材的浸濕,進(jìn)而對(duì)封焊效果產(chǎn)生不良影響。由于存在濃度差,氧化物會(huì)向金屬熔液內(nèi)部擴(kuò)散,致使氧化膜進(jìn)入焊縫,最終引發(fā)各種連接缺陷。有研究報(bào)道指出,合金中的氧含量必須控制在0.5%以下,否則很難實(shí)現(xiàn)良好的密封效果。
5. 蓋板狀態(tài)
管殼和蓋板的封焊區(qū)域必須保持清潔。一旦封焊區(qū)域存在玷污,其浸潤(rùn)性就會(huì)顯著變差。在金錫處于熔融狀態(tài)時(shí),玷污處會(huì)產(chǎn)生氣泡。在后續(xù)加熱、加壓過程中,氣泡會(huì)不斷延展直至爆破,這不僅會(huì)導(dǎo)致漏氣問題,還可能造成金錫焊料飛濺。
常見缺陷
金錫熔封過程中,常見的缺陷如下:
1.鍍層缺陷:表現(xiàn)為剝落、起皮、起泡、凹坑或腐蝕等問題,這些缺陷會(huì)影響鍍層的保護(hù)作用與焊接效果。
2.蓋板損傷:蓋板出現(xiàn)劃傷、擦傷或凹陷,會(huì)使基底金屬暴露,降低蓋板的防護(hù)性能,影響密封質(zhì)量。
3.焊縫斷點(diǎn):焊縫處存在斷點(diǎn),破壞了焊縫的連續(xù)性,可能導(dǎo)致密封失效。
4.焊料爬蓋:焊料在蓋板上過度蔓延,可能影響器件的正常性能與外觀。
5.焊料內(nèi)溢:焊料向管殼內(nèi)部溢出,可能對(duì)內(nèi)部電路造成污染,影響器件的電氣性能。
6.蓋板偏移:蓋板在封焊過程中發(fā)生偏移,導(dǎo)致密封不嚴(yán),降低封裝的可靠性。
7.密封空洞:密封區(qū)域存在空洞,會(huì)降低焊接強(qiáng)度,影響氣密性。
8.水汽含量超標(biāo):封裝內(nèi)部水汽含量超出標(biāo)準(zhǔn),可能引發(fā)腐蝕等問題,縮短器件的使用壽命。
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